| 类型 | 型号 | 特性 |
| 正胶 | AR-P 1200 | 适合喷涂（Spray Coating）的正性光刻胶，高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面，可用于复杂工艺。 |
| AR-P 3100 | 高灵敏度光刻胶.胶膜薄且均匀. 在玻璃和镀铬表面附着力好，可用于光学器件加工,掩膜制作等。另有，AR-P 3170 可以做出 100nm，甚至更小的线条（几十纳米）。 | |
| AR-P 3200 | 黏度大，可得到厚胶膜，厚度可达几十微米，甚至上百微米。胶膜覆盖能力好，适合粗糙的 Wafer 表面涂胶，可很好的保护结构边缘。图形剖面边缘陡直。适合做LIGA或电镀工艺等。 | |
| AR-P 3500 | 于集成电路制造中的掩膜加工。 高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中，AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化，而新研制的一种光刻胶；性能和AR-P 3500相似，同时还具备了良好的耐等离子刻蚀性能，以及大的工艺宽容度。 | |
| AR-P 3500T | ||
| AR-P 3740 | 高分辨率光刻胶，制作亚微米结构，适于高集成电路制作。光刻胶表面平整均匀，高敏感度、高对比、工艺宽容度大。 AR-P 3840为染色的光刻胶，可以降低驻波和散射等的影响。 | |
| AR-P 3840 | ||
| AR-P 5300 | Lift-off工艺用胶，利用普通的光刻工艺便可很容易得进行剥离工艺。高敏感、高分辨率， 且与金属和氧化物表面附着良好。 | |
| 图像反转胶 | AR-U 4000 | 图形反转胶，通过调整工艺参数可实现正胶或负胶性能。图形反转工艺后，光刻胶呈现负胶性能，可以得到非常明星的倒梯形结果，用于lift-off工艺。 |
| 负胶 | AR-N 2200 | 适合喷涂的负性光刻胶，高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面，可用于复杂工艺。 |
| AR-N 4240 | 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工艺。 i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形，专为满足先进集成电路制造中的关键工艺要求而设计。良好的耐等离子体刻蚀性能，在金属和氧化物表面的附着力好，并可用于lift-off工艺。 | |
| AR-N 4340 | 化学放大胶，紫外曝光，可做lift-off工艺。 i线、g线曝光。化学放大胶，高灵敏度，高分辨率，高对比度，在金属和氧化物表面附着力好，可用于lift-off工艺。 | |
| 厚胶，化学放大胶，可以做lift-off工艺。 i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米，覆盖能力好，可用于表面粗糙的wafer表面涂覆，且剖面陡直，高分辨率。化学放大胶，灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。 采用碱性水溶液显影，除胶非常容易，可以替代传统的SU8胶。 | ||
| AR-N 4400 | ||
| SX AR-N 4600-10/3 | 紫外负胶（厚胶），适用于LIGA及MEMS应用，涂胶厚度 10um@1000rpm。SX AR-N 4600-10/3 : 结构稳定性好、重复性好，厚度可达几百微米，适用于永久保留胶体结构的应用，SX AR-N 4650-10/4 : 容易去胶，适合于电铸工艺。 | |
| SX AR-N 4650-10/4 | ||
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